- сопротивление гетероперехода
- heterojunction resistance
Русско-английский словарь по радиоэлектронике. — Руссо. 2005.
Русско-английский словарь по радиоэлектронике. — Руссо. 2005.
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) — Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной… … Википедия
Транзистор с высокой подвижностью электронов — (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (т. н. гетеропереход)[1].… … Википедия
Квантовый композитный резонатор Холла — (ККРХ) топологический объект с квантовыми реактивными параметрами ( и ), которые имеют фиксированную резонансную частоту ( ), обусловленную нечетным числом электронов которые двигаются в однородном магнитном поле ( ). ККРХ имеет… … Википедия
Транзистор — Дискретные транзисторы в различном конструктивном оформлении … Википедия
Полевой транзистор — Полевой транзистор (англ. field effect transistor, FET) полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе… … Википедия
ТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ — (от лат. bi двойной, двоякий и греч. polos ось, полюс) один из осн. элементов полупроводниковой электроники. Создан в 1948 Дж. Бардином (J. Bardeen), У. Браттейном (W. Brattain) и У. Шокли (W. Shockley) (Нобелевская премия по физике, 1956).… … Физическая энциклопедия